LL式高密度汎用スパッタリング装置(2019)
最終更新日:2024年4月4日
設備ID | UT-711 |
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分類 | 成膜装置 > スパッタリング(スパッタ) |
設備名称 | LL式高密度汎用スパッタリング装置(2019) (LL-type High-density General Purpose Sputtering System) |
設置機関 | 東京大学 |
設置場所 | 武田先端知クリーンルーム2 |
メーカー名 | 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS) |
型番 | CFS-4EP-LL !-Miller (2019) |
キーワード | スパッタ |
仕様・特徴 | 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。また、膜質の安定も期待できる。ターゲットはCFS-4ESと共通。 デフォルトはPt/Au/Cr/Tiを装着。それ以外のターゲットは支援員の技術補助で交換を行う。UT-716と互換。 |
設備状況 | 稼働中 |
本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=UT-711 |