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LL式高密度汎用スパッタリング装置(2019)

最終更新日:2024年4月4日
設備ID UT-711
分類 成膜装置 > スパッタリング(スパッタ)
設備名称 LL式高密度汎用スパッタリング装置(2019) (LL-type High-density General Purpose Sputtering System)
設置機関 東京大学
設置場所 武田先端知クリーンルーム2
メーカー名 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
型番 CFS-4EP-LL !-Miller (2019)
キーワード スパッタ
仕様・特徴 真空引きが速く、通常10分程度でスパッタリング開始が可能。また、膜質の安定も期待できる。ターゲットはCFS-4ESと共通。 デフォルトはPt/Au/Cr/Tiを装着。それ以外のターゲットは支援員の技術補助で交換を行う。UT-716と互換。
設備状況 稼働中
本設備の利用事例 https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=UT-711
    LL式高密度汎用スパッタリング装置(2019)
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