高速シリコン深掘りエッチング装置
最終更新日：2023年6月29日
| 設備ID | UT-604 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 設備名称 | 高速シリコン深掘りエッチング装置 (Ultra Rapid Silicon Deep Reactive Ion Etching Machine) |
| 設置機関 | 東京大学 |
| 設置場所 | 武田先端知クリーンルーム |
| メーカー名 | SPTS (SPTS) |
| 型番 | MUC-21 ASE-Pegasus |
| キーワード | プラズマエッチング |
| 仕様・特徴 | 高密度プラズマにより（ICPパワー3kWまで。1800W常用）、低ダメージ、高速にてエッチングが可能です。（例：EBレジストを用い、scalloping100nm程度で100μm開口のトレンチを20分エッチングして深さ135μm可能）。4”装置。100nmクラスの開口可能。特殊レシピ有。また、SF6による「ドライリリース」や、C4F8による酸化膜エッチングなど、組み合わせで便利に使えるレシピも利用できます。 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=UT-604 |
