川崎ブランチ化合物用エッチング装置
| 設備ID | UT-601 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 装置名称 | 川崎ブランチ化合物用エッチング装置 (Inductively Coupled Plasma (ICP) Dry Etching System, ) |
| 設置機関 | 東京大学 |
| 設置場所 | 川崎ブランチ |
| メーカー名 | オックスフォード・インストゥルメンツ (Oxford Instruments) |
| 型番 | Plasma Pro 100 ICP-180 |
| キーワード | プラズマエッチング |
| 仕様・特徴 | 誘導結合プラズマ（ICP）によるエッチング装置です。 化合物半導体基板（GaAs,InP,GaN等）を得意とします。4”丸型ウエーハ導入可能。 導入ガス種：Ar,O2,H2,CH4,N2,Cl2,SF6,He |
