共用設備検索

超高速大面積電子線描画装置

最終更新日:2022年4月9日
設備ID UT-503
分類 リソグラフィ > 電子線描画(EB)
設備名称 超高速大面積電子線描画装置 (Ultrarapid Electron Beam Direct Writing and Photo Mask Fabrication Machine)
設置機関 東京大学
設置場所 武田先端知クリーンルーム
メーカー名 アドバンテスト (ADVANTEST)
型番 F7000S-VD02
キーワード 電子線描画
電子線露光
EB
可変整形ビーム
キャラクタープロジェクション
仕様・特徴 カケラから8インチ丸基板までの任意形状に対応。R2年度補正予算改造により、更に高速性がアップしました。
(厚みに制限あり。ご相談ください)
可変整形ビーム(VSBモード)による、高速描画が可能
内蔵ステンシル(CPモード)による、階段近似の無い滑らかな曲線等の高速描画が可能。
データはGDS-IIストリームフォーマットから変換
設備状況 稼働中
本設備の利用事例 https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=UT-503
    超高速大面積電子線描画装置
    超高速大面積電子線描画装置
印刷する
PAGE TOP
スマートフォン用ページで見る