共用設備検索結果
表示件数
超高精度電子ビーム描画装置 (Ultra high precision electron beam lithography system)
- 設備ID
- RO-111
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- エリオニクス (Elionix)
- 型番
- ELS-G100
- 仕様・特徴
- 試料サイズ：2～6インチ直径の定型ウエハ
加速電圧：100kV，50kV, 25kV
電子ビームの最小スポットサイズ：ビーム電流1nAにおいて2.0nm以下
最小線幅：6nm
- 設備状況
- 稼働中
マスクレス露光装置 (Maskless photolithography system)
- 設備ID
- RO-112
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 株式会社ナノシステムソリューションズ (NanoSystem Solutions, Inc.)
- 型番
- DL-1000
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２～４inch、cut wafer他
DMDを用いたレーザー露光装置
最小画素：1μm
- 設備状況
- 稼働中
マスクレス露光装置 (Maskless photolithography system)
- 設備ID
- RO-113
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- ハイデルベルグ・インストルメンツ (Heidelberg Instruments)
- 型番
- MLA150
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２～６inch、cut wafer他
DMDを用いたレーザー露光装置
レーザ光源：375nm 7.2W 最小画素：1μm
- 設備状況
- 稼働中
スピンコータ (Spin Coater)
- 設備ID
- RO-121
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- タツモ（株） (TAZMO)
- 型番
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２inch、cut wafer
レジスト塗布
- 設備状況
- 稼働中
プログラム・ホットプレート (Program hot plate)
- 設備ID
- RO-122
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- アズワン株式会社 (AS ONE)
- 型番
- EC-1200NP
- 仕様・特徴
- ・16ステップ以内のプログラムを4パターン記憶
・制御可能温度範囲：室温＋50 ～ 300℃
・プレート面積：412*312mm
- 設備状況
- 稼働中
インビトロシェーカー (inVitro shaker)
- 設備ID
- RO-123
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- タイテック株式会社 (TAITEC CORPORATION)
- 型番
- Wave-PR2
- 仕様・特徴
- ・振とう方式：波動形揺動（マイルド振とう）
・振とう速度/角度：5～50r/min、2～6°
・架台有効寸法：300×200mm
- 設備状況
- 稼働中
レイアウト設計ツール (Mask layout design tool)
- 設備ID
- RO-131
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- Tanner (Tanner)
- 型番
- L-Edit
- 仕様・特徴
- リソグラフィマスク設計用レイアウトエディター
ＩＣ，ＭＥＭＳデバイス設計用ソフト。Tanner社L-Edit
- 設備状況
- 稼働中
MEMS設計ツール（IntelliSuite） (MEMS design tools)
- 設備ID
- RO-132
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- インテリセンス (IntelliSense)
- 型番
- IntelliSuite
- 仕様・特徴
- 工程データ、フローデータ、材料データ、2Dマスクデータ、3Dモデルデータの利活用に有効。
- 設備状況
- 稼働中
高温イオン注入装置 (Ion implanter)
- 設備ID
- RO-212
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC, Inc.)
- 型番
- IMX-3500（手動高温仕様）
- 仕様・特徴
- 対応wafer：～６inch、cut wafer
温度：常温、200～500℃、 加速電圧：10～200ｋV、
最大ﾋﾞｰﾑ電流：100μA以上（＠B＋、P＋）、
：10μA以上（＠Al＋）
Al，B，As，P，F，BF2，Ar，（Si，N，He） 等注入可能
- 設備状況
- 稼働中
酸化炉 (Oxidation furnaces)
- 設備ID
- RO-221
- 設置機関
- 広島大学
- 設備画像
- メーカー名
- 東京エレクトロン (Tokyo Electron)
- 型番
- 仕様・特徴
- 対応wafer：２inch、cut wafer
最高使用温度1150℃
ドライ酸化、パイロジェニック酸化
- 設備状況
- 稼働中