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MEMS設計ツール(IntelliSuite) (MEMS design tools)

設備ID
RO-132
設置機関
広島大学
設備画像
MEMS設計ツール(IntelliSuite)
メーカー名
インテリセンス (IntelliSense)
型番
IntelliSuite
仕様・特徴
工程データ、フローデータ、材料データ、2Dマスクデータ、3Dモデルデータの利活用に有効。

インビトロシェーカー (inVitro shaker)

設備ID
RO-123
設置機関
広島大学
設備画像
インビトロシェーカー
メーカー名
タイテック株式会社 (TAITEC CORPORATION)
型番
Wave-PR2
仕様・特徴
・振とう方式:波動形揺動(マイルド振とう)
・振とう速度/角度:5~50r/min、2~6°
・架台有効寸法:300×200mm

プログラム・ホットプレート (Program hot plate)

設備ID
RO-122
設置機関
広島大学
設備画像
プログラム・ホットプレート
メーカー名
アズワン株式会社 (AS ONE)
型番
EC-1200NP
仕様・特徴
・16ステップ以内のプログラムを4パターン記憶
・制御可能温度範囲:室温+50 ~ 300℃
・プレート面積:412*312mm

超高精度電子ビーム描画装置 (Ultra high precision electron beam lithography system)

設備ID
RO-111
設置機関
広島大学
設備画像
 超高精度電子ビーム描画装置
メーカー名
エリオニクス (Elionix)
型番
ELS-G100
仕様・特徴
試料サイズ:2~6インチ直径の定型ウエハ
加速電圧:100kV,50kV, 25kV
電子ビームの最小スポットサイズ:ビーム電流1nAにおいて2.0nm以下
最小線幅:6nm

マスクレス露光装置 (Maskless photolithography system)

設備ID
RO-112
設置機関
広島大学
設備画像
 マスクレス露光装置
メーカー名
株式会社ナノシステムソリューションズ (NanoSystem Solutions, Inc.)
型番
DL-1000
仕様・特徴
対応wafer:2~4inch、cut wafer他
DMDを用いたレーザー露光装置
最小画素:1μm

マスクレス露光装置 (Maskless photolithography system)

設備ID
RO-113
設置機関
広島大学
設備画像
 マスクレス露光装置
メーカー名
ハイデルベルグ・インストルメンツ (Heidelberg Instruments)
型番
MLA150
仕様・特徴
対応wafer:2~6inch、cut wafer他
DMDを用いたレーザー露光装置
レーザ光源:375nm 7.2W 最小画素:1μm

スピンコータ (Spin Coater)

設備ID
RO-121
設置機関
広島大学
設備画像
スピンコータ
メーカー名
タツモ(株) (TAZMO)
型番
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
レジスト塗布

レイアウト設計ツール (Mask layout design tool)

設備ID
RO-131
設置機関
広島大学
設備画像
レイアウト設計ツール
メーカー名
Tanner (Tanner)
型番
L-Edit
仕様・特徴
リソグラフィマスク設計用レイアウトエディター
IC,MEMSデバイス設計用ソフト。Tanner社L-Edit

酸化炉 (Oxidation furnaces)

設備ID
RO-221
設置機関
広島大学
設備画像
酸化炉
メーカー名
東京エレクトロン (Tokyo Electron)
型番
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
最高使用温度1150℃
ドライ酸化、パイロジェニック酸化

Rapid Thermal Anneal装置(RTA) (Rapid Thermal Annealing furnaces)

設備ID
RO-222
設置機関
広島大学
設備画像
Rapid Thermal Anneal装置(RTA)
メーカー名
サムコ (Samco Inc.)
型番
サムコ製 HT-1000
仕様・特徴
対応wafer:2inch、cut wafer
昇温速度最大200℃/s(N2, O2
550℃以上
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