共用設備検索結果
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スパッタ（金属、絶縁体）蒸着装置 (Sputtering vapor depositing equipment)
- 設備ID
- TT-001
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦エレテック (Shibaura eletec Corporatoin)
- 型番
- CFS-4ES
- 仕様・特徴
- ・平行平板型
・ターゲット現有（Ti, Al, Ag, Pd, SiO2, Al2O3, SiN, Au）
- 設備状況
- 稼働中
多機能薄膜作製装置 (Sputtering vapor depositing / Molecular vapor epitaxy equipment)
- 設備ID
- TT-002
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- アルバック (ULVAC)
- 型番
- BC2925（特注装置）
- 仕様・特徴
- 超高真空仕様
RF2元、DC2元
ターゲット2インチΦと、分子線エピタキシーMBE3元（EBガン）の複合利用可能
多層膜作成可能、主に磁性材料用
- 設備状況
- 稼働中
原子層堆積装置 (Atomic layer deposition：ALD)
- 設備ID
- TT-003
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- Ultratech/Cambridge Nano Tech (Ultratech/Cambridge Nano Tech)
- 型番
- Fiji F200
- 仕様・特徴
- 成膜する試料は、基板表面に蒸気圧の高い物質が露出していないことが条件。
半導体デバイスのパッシベーションに用いており、汚染を防ぐためであり、ご理解をお願いします。
- 設備状況
- 稼働中
マスクレス露光装置 (Maskless exposure equipment)
- 設備ID
- TT-005
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 大日本科研 (Japan Science Engineering Co., Ltd.)
- 型番
- MX-1204
- 仕様・特徴
- φ4インチにポジ型フォトレジスト（膜厚1μm以上）に、2μm幅のラインアンドスペースを全面（外周3mm除く）に描いたときに、描画時間が30分程度。
露光パターン幅のバラツキが100 nm（1σ）以下。
- 設備状況
- 稼働中
マスクアライナ装置 (Mask aligner)
- 設備ID
- TT-006
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- ズース・マイクロテック (SUSS MicroTec)
- 型番
- MA6
- 仕様・特徴
- ・裏面アライメント可能、i線フィルタ付き
・付帯装置：レジストのスピンコータ共和理研Ｋ-359ＳＤなど
- 設備状況
- 稼働中
レジスト処理（アッシング）装置 (Asher)
- 設備ID
- TT-007
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- VICインターナショナル (VIC international)
- 型番
- VPA-100改造
- 仕様・特徴
- ・材料制限は少ない（要相談）
・φ4インチまで
・付帯装置：UVキュア処理装置（自作）
- 設備状況
- 稼働中
洗浄ドラフト一式 (Clean draft chambers)
- 設備ID
- TT-008
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 東朋テクノロジー (Toho Technology Co.)
- 型番
- 特注
- 仕様・特徴
- シリコン専用および化合物半導体専用のドラフト群
小型～太陽電池156mm角基板等
- 設備状況
- 稼働中
シリコン専用の各種熱処理（酸化、拡散）装置一式 (Thermal treatment furnaces (oxidation, diffusion))
- 設備ID
- TT-009
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 縦型：ディー・エス・アイ テクノロジー 横型：光洋サーモシステム (縦型：DSITechnology Co.LTD 横型：Koyo Thermo Systems Co., Ltd.)
- 型番
- 縦型：MD-100P 横型：4001PSI
- 仕様・特徴
- 横型および縦型酸化・拡散炉一式
・シリコンウェハの酸化および不純物拡散（リンおよびボロン）
・φ3インチまでのシリコン基板
- 設備状況
- 稼働中
Reactive Ion Etching 装置（非Boschプロセス） (Reactive ion etching equipment (Non-Bosch))
- 設備ID
- TT-010
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- サムコ (Samco Inc.)
- 型番
- RIE-10NR
- 仕様・特徴
- CF4, O2, SF6を用いたレジストアッシングや、SiおよびSiO2、石英ガラス、窒化膜のエッチング
Φ6インチまでのガラス及びシリコン基板に対応
- 設備状況
- 稼働中
Deep Reactive Ion Etching装置（Boschプロセス） (Reactive ion etching equipment (Bosch))
- 設備ID
- TT-011
- 設置機関
- 豊田工業大学
- 設備画像
- メーカー名
- 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products CO.,LTD.)
- 型番
- Multiplex-ASE-SRE-SE
- 仕様・特徴
- ・φ4インチ シリコン用（金属剥き出しサンプルは禁止）
メカニカルクランプのため、200μm厚のような薄いウェハは割れるため、厚いウェハに固定して運用。
- 設備状況
- 稼働中