ケミカルドライエッチャー(CDE)
最終更新日：2022年6月6日
| 設備ID | TU-214 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > ガスエッチング |
| 設備名称 | ケミカルドライエッチャー(CDE) (Chemical Dry Etcher (CDE)) |
| 設置機関 | 東北大学 |
| 設置場所 | 東北大学西澤潤一記念研究センター 2Fクリーンルーム |
| メーカー名 | 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics) |
| 型番 | CDE7 |
| キーワード | ラジカルによる低ダメージのSi、SiN等方性ドライエッチング、DRIE後のスキャロップ除去 |
| 仕様・特徴 | サンプルサイズ：小片～5インチ 基板固定方式：静置（温度制御不可） プラズマ方式：2.45GHzリモートプラズマ ガス：CF4、O2、N2 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=TU-214 |
