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ケミカルドライエッチャー(CDE)

設備ID TU-214
分類 膜加工・エッチング > ガスエッチング
装置名称 ケミカルドライエッチャー(CDE) (Chemical Dry Etcher (CDE))
設置機関 東北大学
設置場所 東北大学西澤潤一記念研究センター 2Fクリーンルーム
メーカー名 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics)
型番 CDE7
キーワード ラジカルによる低ダメージのSi、SiN等方性ドライエッチング、DRIE後のスキャロップ除去
仕様・特徴 サンプルサイズ:小片~5インチ
基板固定方式:静置(温度制御不可)
プラズマ方式:2.45GHzリモートプラズマ
ガス:CF4、O2、N2
    ケミカルドライエッチャー(CDE)
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