ケミカルドライエッチャー(CDE)
設備ID | TU-214 |
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分類 | 膜加工・エッチング > ガスエッチング |
装置名称 | ケミカルドライエッチャー(CDE) (Chemical Dry Etcher (CDE)) |
設置機関 | 東北大学 |
設置場所 | 東北大学西澤潤一記念研究センター 2Fクリーンルーム |
メーカー名 | 芝浦メカトロニクス (Shibaura Mechatronics) |
型番 | CDE7 |
キーワード | ラジカルによる低ダメージのSi、SiN等方性ドライエッチング、DRIE後のスキャロップ除去 |
仕様・特徴 | サンプルサイズ:小片~5インチ 基板固定方式:静置(温度制御不可) プラズマ方式:2.45GHzリモートプラズマ ガス:CF4、O2、N2 |