DeepRIE装置#3
設備ID | TU-203 |
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分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
装置名称 | DeepRIE装置#3 (DeepRIE #3) |
設置機関 | 東北大学 |
設置場所 | 東北大学西澤潤一記念研究センター 2Fクリーンルーム |
メーカー名 | STS (STS) |
型番 | Multiplex-ICP SR |
キーワード | ボッシュプロセスによるSiの深堀エッチング、SiO2、SiNのエッチング |
仕様・特徴 | サンプルサイズ:6インチ、または、4インチ(小片~6または4インチ) 基板固定方式:メカニカルチャック プラズマ方式:ICP ガス:SF6、C4F8、CHF3、Ar、O2 メタルマスク(Al、Crなど)可 |