マスクレス露光装置［MLA150］
最終更新日：2025年2月3日
| 設備ID | AT-119 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 光露光（マスクレス、直接描画） |
| 設備名称 | マスクレス露光装置［MLA150］ (Maskless Lithography System ［MLA150］) |
| 設置機関 | 産業技術総合研究所（AIST) |
| 設置場所 | AISTつくば中央 2-12棟 |
| メーカー名 | ハイデルベルグ (Heidelberg Instruments) |
| 型番 | MLA150 |
| キーワード | マスクレス露光 裏面合わせ露光 グレースケール露光 光露光（マスクレス、直接描画）/ Optical exposure (maskless and direct drawing) |
| 仕様・特徴 | ・型式：MLA150 ・光源：半導体レーザー（375nm ) ・ステージ位置決め精度：10nm（X軸，Y軸） ・最大ウエハーサイズ：φ８インチ ・最大描画エリア：200mm×200mm ・アドレスグリッド：40nm ・最小描画パターン：500nm（L&Sパターン） ・エッジラフネス：60nm（３σ） ・ＣＤ均一性：100nm(３σ) ・重ね合わせ描画精度：0.25μm(5mm×5mm)、 0.5μm(100mm×100mm) ・ 裏面パターンとの重ね合わせ描画精度：1μm |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=AT-119 |
