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プラズマ誘起CVD装置

設備ID	NU-262
分類	成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置
装置名称	プラズマ誘起CVD装置 (Plasma Enhanced CVD)
設置機関	名古屋大学
設置場所	ベンチャービジネスラボラトリ
メーカー名	サムコ (Samco)
型番	PD-220N
キーワード	プラズマCVD SiO₂成膜
仕様・特徴	・基板加熱：抵抗加熱式 (常用300℃) ・適正ウェハ寸法：最大8インチ径・供給ガス：TEOS