ウエーハレベルボンディング装置SB8 Gen2
最終更新日：2024年4月4日
| 設備ID | UT-917 |
|---|---|
| 分類 | 組立・パッケージング > 接合・接着 |
| 設備名称 | ウエーハレベルボンディング装置SB8 Gen2 (Substrate Bonder) |
| 設置機関 | 東京大学 |
| 設置場所 | 武田先端知クリーンルーム2 |
| メーカー名 | ズースマイクロテック (Suss MicroTec) |
| 型番 | SB8 Gen2 |
| キーワード | ウエーハボンディング 陽極接合 金属共晶接合 フュージョン接合 |
| 仕様・特徴 | ウエーハ同士を接合する装置。位置合わせはマスクアライナーMA6（UT-504）で行う。MEMSプロセスや三次元配線形成に用いられる装置。 最大加熱温度：550℃、温度均一性：±1.5℃ 温度再現性：±3℃、最大加熱速度：30K/分 最大冷却速度：25K/分、最大加圧力：20kN 圧力均一性：±2% |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=UT-917 |
