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レーザー直接描画装置DWL66+2024

設備ID UT-511
分類 リソグラフィ > 光露光(マスクレス、直接描画)
装置名称 レーザー直接描画装置DWL66+2024 (Laser Drawing System DWL66+2024)
設置機関 東京大学
設置場所 武田先端知クリーンルーム2
メーカー名 ハイデルベルグ (Heidelberg)
型番 DWL66+ (2024,375nm)
キーワード マスクレス露光
レーザー直接描画
i線相当(375nm)
仕様・特徴 波長375nm(半導体レーサー 70mW) 小片アライメントオプション、両面アライメント機能付き。最小リソグラフィサイズ 0.3μm、重ねリソグラフィ精度±3σで500 nm以下(解像度による)、 128階調の「グレイスケールリソグラフィー」により,フォトレジストの立体形状段差をある程度自由に作れる。また、GenISys社の変換ソフトウェア「BEAMER」を使うと、形状を得るために、近接効果の影響を計算して露光補正が可能。
    レーザー直接描画装置DWL66+2024
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