レーザー直接描画装置DWL66+2024
最終更新日：2024年4月4日
| 設備ID | UT-511 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 光露光（マスクレス、直接描画） |
| 設備名称 | レーザー直接描画装置DWL66+2024 (Laser Drawing System DWL66+2024) |
| 設置機関 | 東京大学 |
| 設置場所 | 武田先端知クリーンルーム2 |
| メーカー名 | ハイデルベルグ (Heidelberg) |
| 型番 | DWL66+ (2024，375nm） |
| キーワード | マスクレス露光 レーザー直接描画 i線相当（375nm） |
| 仕様・特徴 | 波長375nm(半導体レーサー 70mW) 小片アライメントオプション、両面アライメント機能付き。最小リソグラフィサイズ 0.3μm、重ねリソグラフィ精度±３σで500 nm以下(解像度による)、 128階調の「グレイスケールリソグラフィー」により,フォトレジストの立体形状段差をある程度自由に作れる。また、GenISys社の変換ソフトウェア「BEAMER」を使うと、形状を得るために、近接効果の影響を計算して露光補正が可能。 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=UT-511 |
