熱CVD
最終更新日：2022年4月9日
| 設備ID | TU-152 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 設備名称 | 熱CVD (Thermal CVD) |
| 設置機関 | 東北大学 |
| 設置場所 | 東北大学西澤潤一記念研究センター 2Fクリーンルーム |
| メーカー名 | 国際電気 (Kokusai Electric) |
| 型番 | - |
| キーワード | 常圧CVD Epipoly-Si(non-doped, B, P-doped)、Poly-Si(non-doped, B, P-doped) |
| 仕様・特徴 | サンプルサイズ：小片～6インチ 基板温度：最高1100℃ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=TU-152 |
