低ダメージ精密エッチング装置 [Spica]
| 設備ID | NM-662 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 装置名称 | 低ダメージ精密エッチング装置 [Spica] (ICP-RIE [Spica]) |
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
| 設置場所 | NIMS千現地区 材料信頼性実験棟102室 |
| メーカー名 | 住友精密工業 (Sumitomo Precision Products) |
| 型番 | Spica |
| キーワード | 半導体、化合物、酸化膜、窒化膜、低ダメージエッチング、低パワーエッチング、低レートエッチング、プラズマエッチング/ Plasma etching |
| 仕様・特徴 | プラズマ励起方式:誘導結合型 ICP出力:最大1kW バイアス出力:最大300W フッ素系ガスユニット:CHF3, CF4, C4F8, SF6, Ar, O2, N2 塩素系ガスユニット:Cl2, SiCl4, SF6, Ar, O2, N2 試料ステージ温度:10℃～30℃ 最大試料サイズ:6インチΦ |
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