ランプアニール装置
最終更新日：2022年4月9日
| 設備ID | TU-107 |
|---|---|
| 分類 | 熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール |
| 設備名称 | ランプアニール装置 (Rapid thermal annealing) |
| 設置機関 | 東北大学 |
| 設置場所 | 東北大学西澤潤一記念研究センター 2Fクリーンルーム |
| メーカー名 | AG Associates (AG Associates) |
| 型番 | AG4100 |
| キーワード | イオン注入後のアニールなど |
| 仕様・特徴 | サンプルサイズ：小片～6インチ カセットtoカセット 赤外線ランプ加熱 基板温度：最高1100℃ 昇温速度：100℃／sec |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=TU-107 |
