ランプアニール装置
設備ID | TU-107 |
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分類 | 熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール |
装置名称 | ランプアニール装置 (Rapid thermal annealing) |
設置機関 | 東北大学 |
設置場所 | 東北大学西澤潤一記念研究センター 2Fクリーンルーム |
メーカー名 | AG Associates (AG Associates) |
型番 | AG4100 |
キーワード | イオン注入後のアニールなど |
仕様・特徴 | サンプルサイズ:小片~6インチ カセットtoカセット 赤外線ランプ加熱 基板温度:最高1100℃ 昇温速度:100℃/sec |