高温イオン注入装置
最終更新日：2024年4月10日
| 設備ID | RO-212 |
|---|---|
| 分類 | 熱処理・ドーピング > イオン注入 |
| 設備名称 | 高温イオン注入装置 (Ion implanter) |
| 設置機関 | 広島大学 |
| 設置場所 | CR西棟１F |
| メーカー名 | アルバック (ULVAC, Inc.) |
| 型番 | IMX-3500（手動高温仕様） |
| キーワード | イオン注入、 ドーピング |
| 仕様・特徴 | 対応wafer：～６inch、cut wafer 温度：常温、200～500℃、 加速電圧：10～200ｋV、 最大ﾋﾞｰﾑ電流：100μA以上（＠B＋、P＋）、 ：10μA以上（＠Al＋） Al，B，As，P，F，BF2，Ar，（Si，N，He） 等注入可能 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=RO-212 |
