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赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]

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最終更新日:2025年3月3日
設備ID NM-646
分類 熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール
設備名称 赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1] (RTA [RTP-6 #1])
設置機関 物質・材料研究機構 (NIMS)
設置場所 NIMS並木地区 MANA棟 504号室
メーカー名 アドバンス理工株式会社 (ADVANCE RIKO,Inc.)
型番 RTP-6
キーワード 熱処理、RTA、RTP、アニール、合金化、熱処理、レーザーアニール/ Thermal treatment and laser annealing
仕様・特徴 ・温度範囲:室温~1000℃
・加熱方式:赤外ゴールドイメージ炉、9ゾーン制御
・加熱性能:最大 10℃/s
・プロセスガス:N2, Ar+H2(3%), Ar, O2, 真空置換機能あり
・試料台材質・サイズ:SiCコートグラファイト、6インチφ または Si、6インチ
設備状況 共用を終了した設備です
本設備の利用事例 https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NM-646
    赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]
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