赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1]
| 設備ID | NM-646 |
|---|---|
| 分類 | 熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール |
| 装置名称 | 赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #1] (RTA [RTP-6 #1]) |
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
| 設置場所 | NIMS並木地区 MANA棟 504号室 |
| メーカー名 | アドバンス理工株式会社 (ADVANCE RIKO,Inc.) |
| 型番 | RTP-6 |
| キーワード | 熱処理、RTA、RTP、アニール、合金化、熱処理、レーザーアニール/ Thermal treatment and laser annealing |
| 仕様・特徴 | ・温度範囲：室温～1000℃ ・加熱方式：赤外ゴールドイメージ炉、９ゾーン制御 ・加熱性能：最大 10℃/s ・プロセスガス：N2, Ar+H2(3%), Ar, O2, 真空置換機能あり ・試料台材質・サイズ：SiCコートグラファイト、６インチφ または Si、６インチ |
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