原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
設備ID | NM-644 |
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分類 | 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置 |
装置名称 | 原子層堆積装置 [SUNALE R-150] (ALD [SUNALE R-150]) |
設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
設置場所 | NIMS並木地区 MANA棟 503号室 |
メーカー名 | PICOSUN JAPAN株式会社 (Picosun Oy) |
型番 | SUNALE R-150 |
キーワード | ALD、原子層堆積、薄膜、絶縁膜、パッシベーション、原子層堆積(ALD)装置/ Atomic layer deposition (ALD) |
仕様・特徴 | ・成膜方式:サーマルまたはプラズマALD ・原料ソース:3源 ・基板サイズ:最大6inchφ ・基板温度:室温~300℃ |