原子層堆積装置 [SUNALE R-150]
最終更新日：2024年2月29日
| 設備ID | NM-644 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 原子層堆積(ALD)装置 |
| 設備名称 | 原子層堆積装置 [SUNALE R-150] (ALD [SUNALE R-150]) |
| 設置機関 | 物質・材料研究機構 (NIMS) |
| 設置場所 | NIMS並木地区 MANA棟 503号室 |
| メーカー名 | PICOSUN JAPAN株式会社 (Picosun Oy) |
| 型番 | SUNALE R-150 |
| キーワード | ALD、原子層堆積、薄膜、絶縁膜、パッシベーション、原子層堆積（ALD）装置/ Atomic layer deposition (ALD) |
| 仕様・特徴 | ・成膜方式：サーマルまたはプラズマALD ・原料ソース：3源 ・基板サイズ：最大6inchφ ・基板温度：室温～300℃ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NM-644 |
![原子層堆積装置 [SUNALE R-150]](data/facility_item/1687416682_11.jpg)