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両面マスク露光&ボンドアライメント装置

設備ID KT-119
分類 リソグラフィ > 光露光(マスクアライナ)
リソグラフィ > ナノインプリント
装置名称 両面マスク露光&ボンドアライメント装置 (Double-Sided/Infrared Mask Lithography & Bond Aligner )
設置機関 京都大学
設置場所 京都大学 吉田キャンパス
メーカー名 ズース・マイクロテック(株) (SUSS MicroTec)
型番 MA/BA8 Gen3 SPEC-KU
キーワード ナノインプリント
アライメントとボンドアライメント機能
仕様・特徴 接合用アライメントとUVナノインプリント機能を兼備した複合装置。(マスクアライナー機能を兼備)
・基板サイズ:小片~Φ8"
・ウエハ厚さ:MAX 5mm
・マスクサイズ:MAX □9"
・アライメント精度:±0.25um@表面、±1.0um@裏面、±2.0um@接合
    両面マスク露光&ボンドアライメント装置
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