電子ビーム露光装置
設備ID | IT-038 |
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分類 | リソグラフィ > 電子線描画(EB) |
装置名称 | 電子ビーム露光装置 (Electron beam lithograph system) |
設置機関 | 東京工業大学 |
設置場所 | 東工大大岡山キャンパス |
メーカー名 | 日本電子 (JEOL) |
型番 | JBX-8100 |
キーワード | 微細構造形成、電子線描画(EB)/ Electron beam lithography |
仕様・特徴 | スポットビーム、ベクタースキャン方式。 ビーム径3nm以下(100kV)、最小線幅8nm。つなぎ精度:仕様20nm/実測7.6nm(フィールドサイズ1000um)、重ね合わせ精度:仕様20nm/9.8nm(フィールドサイズ1000um)試料最大150㎜φウエーハまで 不定形も可能 JEOL01,51,52などの日本電子製電子ビーム露光用パターンデータファイルが入出力可能。 各露光基板形状に基づいたモンテカルロシミュレーションによって点拡がり関数(PSF)を導出でき、得られたPSFに基づく近接効果補正が可能なソフトウェア(GenISys Beamer)を含む。 |