電子ビーム露光装置
最終更新日：2024年10月1日
| 設備ID | IT-038 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 電子線描画（EB） |
| 設備名称 | 電子ビーム露光装置 (Electron beam lithograph system) |
| 設置機関 | 国立大学法人 東京科学大学（旧：国立大学法人 東京工業大学） |
| 設置場所 | 科学大（旧：東工大）大岡山キャンパス |
| メーカー名 | 日本電子 (JEOL) |
| 型番 | JBX-8100 |
| キーワード | 微細構造形成、電子線描画（EB）/ Electron beam lithography |
| 仕様・特徴 | スポットビーム、ベクタースキャン方式。 ビーム径3nm以下(100kV)、最小線幅8nm。つなぎ精度:仕様20nm/実測7.6nm（フィールドサイズ1000um)、重ね合わせ精度:仕様20nm/9.8nm（フィールドサイズ1000um）試料最大150㎜φウエーハまで 不定形も可能 JEOL01,51,52などの日本電子製電子ビーム露光用パターンデータファイルが入出力可能。 各露光基板形状に基づいたモンテカルロシミュレーションによって点拡がり関数(PSF)を導出でき、得られたPSFに基づく近接効果補正が可能なソフトウェア（GenISys Beamer）を含む。 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=IT-038 |
