プラズマCVD装置
最終更新日：2024年4月5日
| 設備ID | WS-030 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 設備名称 | プラズマCVD装置 (TEOS-CVD) |
| 設置機関 | 早稲田大学 |
| 設置場所 | 早稲田大学121号館ナノテクノロジーリサーチセンター |
| メーカー名 | サムコ株式会社 (Samco Inc.) |
| 型番 | PD-220 |
| キーワード | SiO2成膜のみ可能 化学蒸着（CVD）装置 |
| 仕様・特徴 | プラズマCVDの原理による成膜 高いカバレッジ成形 基板サイズ６インチ以下 面内分布 5%以内(仕様) 標準条件での基板温度300℃ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=WS-030 |
