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赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]

設備ID NM-634
分類 熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール
装置名称 赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3] (RTA [RTP-6 #3])
設置機関 物質・材料研究機構 (NIMS)
設置場所 NIMS千現地区 材料信頼性実験棟
メーカー名 アドバンス理工株式会社 (ADVANCE RIKO)
型番 RTP-6
キーワード 熱処理、RTA、RTP、アニール、合金化、熱処理、レーザーアニール/ Thermal treatment and laser annealing
仕様・特徴 ・用途:多目的熱処理プロセス
・加熱方式:赤外線ランプによる上部片面加熱
・プロセス温度:1200℃以下
・昇温速度:10℃/秒以下
・プロセスガス:N2,O2,Ar+3%H2
・最大試料サイズ:φ6inch
・その他:タッチパネル操作系
    赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]
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