赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3]

最終更新日：2024年2月29日

設備ID	NM-634
分類	熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール
設備名称	赤外線ランプ加熱装置 [RTP-6 #3] (RTA [RTP-6 #3])
設置機関	物質・材料研究機構 (NIMS)
設置場所	NIMS千現地区材料信頼性実験棟
メーカー名	アドバンス理工株式会社 (ADVANCE RIKO)
型番	RTP-6
キーワード	熱処理、RTA、RTP、アニール、合金化、熱処理、レーザーアニール/ Thermal treatment and laser annealing
仕様・特徴	・用途：多目的熱処理プロセス・加熱方式：赤外線ランプによる上部片面加熱・プロセス温度：1200℃以下・昇温速度：10℃/秒以下・プロセスガス：N₂,O₂,Ar+3%H₂ ・最大試料サイズ：φ6inch ・その他：タッチパネル操作系
設備状況	稼働中
本設備の利用事例	https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NM-634

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