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SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]

最終更新日:2024年2月29日
設備ID NM-633
分類 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置
設備名称 SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL] (SiO2 PECVD [PD-220NL])
設置機関 物質・材料研究機構 (NIMS)
設置場所 NIMS千現地区 材料信頼性実験棟
メーカー名 サムコ (samco)
型番 PD-220NL
キーワード CVD、SiO2、TEOS、薄膜、絶縁膜、パッシベーション、化学蒸着(CVD)装置/ Chemical vapor deposition (CVD)
仕様・特徴 ・プラズマ方式:平行平板型
・電源出力:30-300W
・原料:TEOS (SiO2)
・成膜温度:400度以下
・最大試料サイズ:φ8inch
設備状況 稼働中
本設備の利用事例 https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NM-633
    SiO2プラズマCVD装置 [PD-220NL]
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