デュアルイオンビ－ムスパッタ装置
最終更新日：2024年4月10日
| 設備ID | GA-004 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > スパッタリング（スパッタ） |
| 設備名称 | デュアルイオンビ－ムスパッタ装置 (Dual ion beam sputtering system) |
| 設置機関 | 香川大学 |
| 設置場所 | 香川大学 創造工学部 |
| メーカー名 | ハシノッテク (Hashino-tech) |
| 型番 | 10W-IBS |
| キーワード | イオンビ－ムスパッタ デュアルイオンビ－ムスパッタ イオンビ－ムエッチング スッパタリング（スパッタ） Sputtering 形成可能な膜質の特徴: 高純度薄膜形成 組成制御性 薄膜の応力制御生 密着性の改善 結晶性の改善 |
| 仕様・特徴 | 4in-IBS 熱陰極型イオン源:2基（:50～1000eV） 基板加熱温度:最大700゜C 膜形成中のイオン同時照射機能 イオンビ－ムエッチング機能 【ビームガン1：エッチング用】 イオン銃：熱陰極型 イオン化ガス：Ar ビーム電圧：100～1200V ビーム電流：50～300mA 加速電圧：75～500V イオン流密度：0.3～0.6mA/cm2 (500V加速時) ビーム有効径：φ4インチ(分布測定可能) 真空度：～8ｘ10-5Pa 試料寸法：φ4インチまで 【ビームガン2：デポジション用】 イオン銃：熱陰極型 イオン化ガス：Ar ビーム電圧：100～1200V ビーム電流：50～300mA 加速電圧：75～500V ターゲット：Au、Cr、Tiほか ステージ角度：ターゲットに対し-90～+90℃設定可 ステージ位置：上下50mm調整可 真空度：～8ｘ10-5Pa 試料寸法：φ4インチまで |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=GA-004 |
