マスクレス露光装置
最終更新日：2024年4月10日
| 設備ID | GA-002 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 光露光（マスクレス、直接描画） |
| 設備名称 | マスクレス露光装置 (Mask-less exposure system) |
| 設置機関 | 香川大学 |
| 設置場所 | 香川大学 創造工学部 |
| メーカー名 | 大日本科研 (Jpn.Sci.Eng.) |
| 型番 | MX-1204 |
| キーワード | マイクロ領域のパタ－ン形成 光露光（マスクレス、直接描画） Optical exposure (maskless and direct drawing) |
| 仕様・特徴 | DMDによるパターン生成露光、 光源:LD(波長375±5nm) 描画方法:直接描画 描画対象:150mm角、 最小描画精度:最小線幅1μm程度、 アライメント精度±0.15μm |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=GA-002 |
