エッチング装置（ICP Poly-Siゲート用）
| 設備ID | RO-417 |
|---|---|
| 分類 | 膜加工・エッチング > プラズマエッチング |
| 装置名称 | エッチング装置（ICP Poly-Siゲート用） (Inductively coupled plasma etcher for poly-Si) |
| 設置機関 | 広島大学 |
| 設置場所 | CR東棟１F |
| メーカー名 | 株式会社ユーテック (YOUTECUniversal Technics Co.,Ltd ) |
| 型番 | 12-228PH |
| キーワード | |
| 仕様・特徴 | ２inch、cut waferは２inchに貼り付けて対応可 Cl2, O2, N2, HBr使用可能 |
