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常圧SiO2CVD装置

設備ID	RO-314
分類	成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置
装置名称	常圧SiO2CVD装置 (Atmospheric pressure CVD reactor for SiO2 deposition)
設置機関	広島大学
設置場所	CR西棟１F
メーカー名	天谷製作所 (Amaya Co., Ltd.)
型番	M01
キーワード	APCVD、常圧CVD
仕様・特徴	対応wafer：２inch　（一度に～6枚まで可能）基板温度400℃、 PおよびBドープ可能