常圧SiO2CVD装置
最終更新日：2024年4月10日
| 設備ID | RO-314 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 設備名称 | 常圧SiO2CVD装置 (Atmospheric pressure CVD reactor for SiO2 deposition) |
| 設置機関 | 広島大学 |
| 設置場所 | CR西棟１F |
| メーカー名 | 天谷製作所 (Amaya Co., Ltd.) |
| 型番 | M01 |
| キーワード | APCVD、常圧CVD |
| 仕様・特徴 | 対応wafer：２inch （一度に～6枚まで可能） 基板温度400℃、 PおよびBドープ可能 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=RO-314 |
