LPCVD装置（SiO2用）
| 設備ID | RO-313 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 装置名称 | LPCVD装置（SiO2用） (Low-pressure CVD reactor for SiO2 deposition) |
| 設置機関 | 広島大学 |
| 設置場所 | CR西棟１F |
| メーカー名 | 東京エレクトロン (Tokyo Electron) |
| 型番 | |
| キーワード | 減圧CVD、SiO2 |
| 仕様・特徴 | 対応wafer：２inch、cut wafer モノシランと一酸化窒素の混合モード、 TEOS+オゾン の２つのモード可能、 最高温度850℃ |
