LPCVD装置(SiN用)
設備ID | RO-312 |
---|---|
分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
装置名称 | LPCVD装置(SiN用) (Low-pressure CVD reactor for SiN deposition) |
設置機関 | 広島大学 |
設置場所 | CR西棟1F |
メーカー名 | 東京エレクトロン (Tokyo Electron) |
型番 | |
キーワード | 減圧CVD、SiN |
仕様・特徴 | 対応wafer:2inch、cut wafer ジクロルシランとアンモニアの反応、基板温度750℃ |