LPCVD装置（SiN用）
最終更新日：2024年4月10日
| 設備ID | RO-312 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 設備名称 | LPCVD装置（SiN用） (Low-pressure CVD reactor for SiN deposition) |
| 設置機関 | 広島大学 |
| 設置場所 | CR西棟１F |
| メーカー名 | 東京エレクトロン (Tokyo Electron) |
| 型番 | |
| キーワード | 減圧CVD、SiN |
| 仕様・特徴 | 対応wafer：２inch、cut wafer ジクロルシランとアンモニアの反応、基板温度750℃ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=RO-312 |
