LPCVD装置（poly-Si用）
| 設備ID | RO-311 |
|---|---|
| 分類 | 成膜装置 > 化学蒸着(CVD)装置 |
| 装置名称 | LPCVD装置（poly-Si用） (Low-pressure chemical vapor deposition (CVD) reactor for poly-Si deposition) |
| 設置機関 | 広島大学 |
| 設置場所 | CR西棟１F |
| メーカー名 | 東京エレクトロン (Tokyo Electron) |
| 型番 | |
| キーワード | 減圧CVD、Poly-Si |
| 仕様・特徴 | 対応wafer：２inch、cut wafer モノシランの熱分解、650℃ |
