連続発振レーザアニール装置（レーザ結晶化装置）
最終更新日：2024年4月10日
| 設備ID | RO-231 |
|---|---|
| 分類 | 熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール |
| 設備名称 | 連続発振レーザアニール装置（レーザ結晶化装置） (CW OSC Laser annealing (Laser crystallization)) |
| 設置機関 | 広島大学 |
| 設置場所 | CR西棟１F |
| メーカー名 | (自作) |
| 型番 | (自作) |
| キーワード | CWレーザー、結晶化 |
| 仕様・特徴 | 対応wafer：２inch、cut wafer 【技術代行専用】 レーザ出力：0.24 ～ 10.0 W、 レーザ径：1.15 mm×50μm (ラインビーム)、 スキャン速度：0.1 ～ 10 cm/s |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=RO-231 |
