インプラ後アニール炉
最終更新日：2024年4月10日
| 設備ID | RO-223 |
|---|---|
| 分類 | 熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール |
| 設備名称 | インプラ後アニール炉 (Diffusion furnaces for dopant activation) |
| 設置機関 | 広島大学 |
| 設置場所 | CR西棟１F |
| メーカー名 | 東京エレクトロン (Tokyo Electron) |
| 型番 | 370MI- MINI |
| キーワード | |
| 仕様・特徴 | 対応wafer：２inch、cut wafer 最高使用温度1150℃ |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=RO-223 |
