Rapid Thermal Anneal装置(RTA)
最終更新日:2024年4月10日
設備ID | RO-222 |
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分類 | 熱処理・ドーピング > 熱処理、レーザーアニール |
設備名称 | Rapid Thermal Anneal装置(RTA) (Rapid Thermal Annealing furnaces) |
設置機関 | 広島大学 |
設置場所 | CR西棟1F |
メーカー名 | サムコ (Samco Inc.) |
型番 | サムコ製 HT-1000 |
キーワード | 熱処理、RTA、RTP、アニール、 Thermal treatment |
仕様・特徴 | 対応wafer:2inch、cut wafer 昇温速度最大200℃/s(N2, O2) 550℃以上 |
設備状況 | 稼働中 |
本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=RO-222 |