超高精度電子ビーム描画装置
最終更新日：2024年4月9日
| 設備ID | RO-111 |
|---|---|
| 分類 | リソグラフィ > 電子線描画（EB） |
| 設備名称 | 超高精度電子ビーム描画装置 (Ultra high precision electron beam lithography system) |
| 設置機関 | 広島大学 |
| 設置場所 | CR東棟１F |
| メーカー名 | エリオニクス (Elionix) |
| 型番 | ELS-G100 |
| キーワード | リソグラフィ、描画、露光、電子ビーム、EB、パターニング、電子線描画（EB）/ Electron beam lithography |
| 仕様・特徴 | 試料サイズ：2～6インチ直径の定型ウエハ 加速電圧：100kV，50kV, 25kV 電子ビームの最小スポットサイズ：ビーム電流1nAにおいて2.0nm以下 最小線幅：6nm |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=RO-111 |
