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微小デバイス特性評価装置

最終更新日:2024年4月9日
設備ID NR-601
分類 デバイス特性 > 電気特性評価
設備名称 微小デバイス特性評価装置 (Electron Beam Absorbed Current (EBAC) Characterization System nanoEBAC )
設置機関 奈良先端科学技術大学院大学 (NAIST)
設置場所 奈良先端科学技術大学院大学物質棟
メーカー名 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
型番 NE4000
キーワード シリコン基材料・デバイス/ Silicon-based materials and devices
化合物半導体/ Compound semiconductor
電気特性評価/ Electrical characterization
電気特性、4端子計測、ebac
仕様・特徴 ・加速電圧: 500 V ~ 30 kV
・分解能: 15nm(加速電圧2kV、WD_15mm)
・プローブユニット:4
・付属:半導体デバイス・アナライザ(B1500A)
設備状況 稼働中
本設備の利用事例 https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=NR-601
    微小デバイス特性評価装置
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