共用設備検索結果
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デバイスシミュレーター (Device Simulator)
- 設備ID
- BA-001
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- SILVACO (SILVACO)
- 型番
- ATHENA/ATLAS
- 仕様・特徴
- 2次元プロセスシミュレーター
2次元シリコン・デバイスシミュレーター
2次元先端材料・デバイスシミュレーター
3次元シリコン/先端材料・デバイスシミュレーター
- 設備状況
- 稼働中
スパッタリング装置 (Sputtering System)
- 設備ID
- BA-002
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
- 型番
- CFS-4EP-LL (i-miller)
- 仕様・特徴
- スパッタ方式：マグネトロン・サイドスパッタ RF500W （DC）
スパッタ源：3インチ×4（強磁性体材料用GUN1基含む）、逆スパッタ可
サンプルホルダ：最大φ220 mm／最小20 mm
（4インチウエハ用および不定形用ホルダあり）
加熱温度：室温～300℃
到達真空度・時間：10-5 Pa、10分以内に7 x 10-3 Pa
排気系：ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオトラップ
操作方式：全自動（レシピ設定可）
プロセスガス：Ar、N2、O2
- 設備状況
- 稼働中
FIB-SEM (Focused Ion beam - Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- BA-003
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- FEI (FEI)
- 型番
- Helios NanoLab 600i
- 仕様・特徴
- 電子とイオンの2種のソースにより、TEM試料作製、イオン照射による直接加工をSEM観察をしながら実施できる。
加速電圧：1-30kV（電子ビーム）
0.5-30kV（Gaイオンビーム）
デポジション用ガス：C,Ptガス
分析機能：EDS
- 設備状況
- 稼働中
電子線蒸着装置 (Electron Beam Evaporator)
- 設備ID
- BA-004
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- エイコー (eiko)
- 型番
- EB-350T
- 仕様・特徴
- 到達圧力：1.0×10-6 Pa以下
蒸発源：5 kW 5連EBガン
ルツボ容量：5 cc
基板ホルダー：φ3インチ
- 設備状況
- 稼働中
電子線描画装置 (Electron Beam Lithography)
- 設備ID
- BA-005
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- ELIONIX (ELIONIX)
- 型番
- ELS-7500EX
- 仕様・特徴
- 電子銃エミッター：ZrO/W熱電界放射型
加速電圧：5～50 kＶ
最小線幅：10 nm
試料サイズ：最大4インチ
ステージ移動範囲： X:100 mm以上 Y:110 mm以上
重ねあわせ精度：40 nm
フィールド継ぎ精度：40 nm
- 設備状況
- 稼働中
走査型プローブ顕微鏡 (Scanning Probe Microscope)
- 設備ID
- BA-006
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- Bruker (Bruker)
- 型番
- Dimension Icon
- 仕様・特徴
- 形状測定モード:
タッピングモード, コンタクトモード
物性測定モード：
電気・磁気特性（EFM/SSRM/KPFM/MFM他）
機械特性（粘弾性/水平力）
試料サイズ：直径 <Φ150mm, 厚さ <10mm
最大スキャン範囲：XY 90μmx90μm, Z 10μm
Z方向ノイズ：0.03nm RMS
測定環境：大気中, 液中（要相談）
- 設備状況
- 稼働中
ウェハーダイシングマシン (Wafer Dicing Machine)
- 設備ID
- BA-007
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- DISCO (DISCO)
- 型番
- DAD322
- 仕様・特徴
- ワークサイズ；φ6
切削可能範囲；160mm
送り速度範囲；0.1～500mm/s
- 設備状況
- 稼働中
電界放出型走査電子顕微鏡 (Field-Emission Scanning Electron Microscope)
- 設備ID
- BA-008
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- 日立ハイテク (Hitachi High-Tech)
- 型番
- SU-8020
- 仕様・特徴
- 二次電子分解能；1.0nm（加速電圧15kV,WD=4mm） 1.3nm（照射電圧1kV,WD=1.5mm）
照射電圧；0.1～30kV
低倍率モード；20～2,000倍（写真倍率）
高倍率モード；100～800,000倍（写真倍率）
SE/BSE信号可変方式
- 設備状況
- 稼働中
パターン投影リソグラフィシステム (Maskless Lithography System)
- 設備ID
- BA-009
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- Heidelberg instruments (Heidelberg instruments)
- 型番
- μPG501
- 仕様・特徴
- 描画エリア；125×125mm2
最小描画サイズ；1.0μm
最小アドレッシンググリッド；50nm@1μm
描画スピード；50mm2/min@1μm,100mm2/min@2μm
- 設備状況
- 稼働中
インクジェットパターン形成装置 (Inkjet Printer)
- 設備ID
- BA-010
- 設置機関
- 筑波大学
- 設備画像
- メーカー名
- SIJテクノロジ (SIJTechnology)
- 型番
- STO50-TBD01
- 仕様・特徴
- 最小吐出量；0.1fl
最小ライン；0.6μm
分解能；0.1μm
位置精度；±0.2μm
- 設備状況
- 稼働中