利用報告書 / User's Reports


【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.05.13】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23KT1328

利用課題名 / Title

Development of analytical techniques of composite materials.

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-

【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials(副 / Sub)-

キーワード / Keywords

金属,コンポジット,界面,分析,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology


利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)

久保 優吾

所属名 / Affiliation

住友電工株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type

(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-


利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-232:真空蒸着装置(1)


報告書データ / Report

概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

異種金属のコンポジットは、車載用部品、半導体など、広い範囲の産業分野で活用されている。製品の要求特性を満足するために、これら異種金属の界面の化学状態に関する理解は不可欠である。本研究の最終的な目的は、真空蒸着を用いて界面分析用試料を作製し、異種金属間の界面状態を明らかにすることである。今回は、抵抗加熱式真空蒸着法によりSi基板上にNi薄膜(約4nm)とCu薄膜(約4 nm)を形成し、断面のTEM/EDX分析を実施した結果をまとめる。

実験 / Experimental

抵抗加熱式真空蒸着法(KT-232:真空蒸着装置)により、SiO2薄膜(約100 nm)/Si基板上にNi薄膜(約4nm)とCu薄膜(約4nm)を形成した。蒸着直前の典型的な真空度は約1.0~3.0×10-3 Pa、典型的なレートは0.05 nm/sであった。

結果と考察 / Results and Discussion

Fig.1に試料断面のSTEM-EDX分析結果を示す。濃い青線がC、橙色線がO、灰色線がSi、黄色線がNi、薄い青線がCuの元素分布を、各々示している。図の右側から順に、SiO2膜、薄い青線と黄色線のピークはNi膜とCu膜に対応しているが、2つのピークは重なり合っており、Si基板との界面におけるNi、Cuの立ち上がり位置が一致している(Fig. 1の30 nm付近)。このことから、Ni膜はボール状の粒子であり、粒子間にCuが入り込んでいると推定される。今後は、NiとCuの密着性などへの影響を詳細に調査していく予定である。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations


Fig. 1 Cross-sectional STEM-EDX line scan of Ni and Cu thin films on Si substrate.


その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)


成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件

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