【公開日:2024.07.25】【最終更新日:2024.05.13】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT1328
利用課題名 / Title
Development of analytical techniques of composite materials.
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】(主 / Main)加工・デバイスプロセス/Nanofabrication(副 / Sub)-
【重要技術領域 / Important Technology Area】(主 / Main)マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials(副 / Sub)-
キーワード / Keywords
金属,コンポジット,界面,分析,蒸着・成膜/ Vapor deposition/film formation,異種材料接着・接合技術/ Dissimilar material adhesion/bonding technology
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名(課題申請者)/ User Name (Project Applicant)
久保 優吾
所属名 / Affiliation
住友電工株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
利用形態 / Support Type
(主 / Main)機器利用/Equipment Utilization(副 / Sub)-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要(目的・用途・実施内容)/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
異種金属のコンポジットは、車載用部品、半導体など、広い範囲の産業分野で活用されている。製品の要求特性を満足するために、これら異種金属の界面の化学状態に関する理解は不可欠である。本研究の最終的な目的は、真空蒸着を用いて界面分析用試料を作製し、異種金属間の界面状態を明らかにすることである。今回は、抵抗加熱式真空蒸着法によりSi基板上にNi薄膜(約4nm)とCu薄膜(約4 nm)を形成し、断面のTEM/EDX分析を実施した結果をまとめる。
実験 / Experimental
抵抗加熱式真空蒸着法(KT-232:真空蒸着装置)により、SiO2薄膜(約100 nm)/Si基板上にNi薄膜(約4nm)とCu薄膜(約4nm)を形成した。蒸着直前の典型的な真空度は約1.0~3.0×10-3 Pa、典型的なレートは0.05 nm/sであった。
結果と考察 / Results and Discussion
Fig.1に試料断面のSTEM-EDX分析結果を示す。濃い青線がC、橙色線がO、灰色線がSi、黄色線がNi、薄い青線がCuの元素分布を、各々示している。図の右側から順に、SiO2膜、薄い青線と黄色線のピークはNi膜とCu膜に対応しているが、2つのピークは重なり合っており、Si基板との界面におけるNi、Cuの立ち上がり位置が一致している(Fig. 1の30 nm付近)。このことから、Ni膜はボール状の粒子であり、粒子間にCuが入り込んでいると推定される。今後は、NiとCuの密着性などへの影響を詳細に調査していく予定である。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Fig. 1 Cross-sectional STEM-EDX line scan of Ni and Cu thin films on Si substrate.
その他・特記事項(参考文献・謝辞等) / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング(DOIのあるもの) / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications:0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents:0件