【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.21】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23KT1263

利用課題名 / Title

MEMS構造体へのCVD膜成膜

利用した実施機関 / Support Institute

京都大学 / Kyoto Univ.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）加工・デバイスプロセス/Nanofabrication（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）マルチマテリアル化技術・次世代高分子マテリアル/Multi-material technologies / Next-generation high-molecular materials（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

SiN,CVD

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

田淵 裕介

所属名 / Affiliation

株式会社シリコンセンシングプロダクツ

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

行藤敏克

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

岸村眞治

利用形態 / Support Type

（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

KT-205：プラズマCVD装置

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

MEMS構造体に絶縁層として、被覆性の良好な保護膜を成膜する。構造体には 段差があるが、特にその部分の被覆性が重要である。これまで、SiO₂スパッタ膜を保護膜としていたが、段差部の被覆が不十分であった。そこで、スパッタ膜よりも被覆性に優れたCVD膜を成膜し、段差部の被覆性の改善を試みる。

実験 / Experimental

MEMS構造体への成膜前に6インチバルクSiを用いて、成膜に必要な基本的なデータを確認した。データとして、成膜レート、膜厚均一性、膜応力を測定した。SiN膜厚の測定には光学式の膜厚測定器を使用した。

結果と考察 / Results and Discussion

KT-205：プラズマCVD装置を用いて、NH₃を使用するレシピによりSiNを成膜した。SiN膜厚は300nm狙いとした。成膜レート、膜厚均一性、膜応力は下記であった。
・成膜レート：0.80nm/sec
・膜厚均一性：±1.9%
・膜応力：＋427MPa（引張）
MEMS構造体に成膜可能な膜厚均一性と膜応力の膜が得られたと考えている。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

表1　成膜条件

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件