【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.04.01】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23KT0007
利用課題名 / Title
半導体デバイスに対する評価
利用した実施機関 / Support Institute
京都大学 / Kyoto Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
エレクトロデバイス/ Electronic device,電子顕微鏡/ Electronic microscope
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
森 貴仁
所属名 / Affiliation
ローム株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
清村 勤
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
KT-403：モノクロメータ搭載低加速原子分解能分析電子顕微鏡
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
薄膜ピエゾ素子において、メンブレン膜(最表面：Si酸化膜)の表面エッチング時間が、その層上に形成するTiO2膜、PZT膜等の結晶性に影響していることが判明している。
エッチバック処理時間(エッチバック量)の条件を振ったSi酸化膜上にTiO2を積層させ、TiO2の結晶相がどのように変化するか(変化しないか)を、STEM-EELSによる状態分析で行うことで明らかにする。
実験 / Experimental
Si酸化膜表面エッチバックの処理時間を振った3水準のベタ膜サンプル(TiO2[350Å]/Si酸化膜/Si基板)に対して、FIB-SEMによるマイクロサンプリングを行い、STEM-EELSによりTiO2層の状態分析を実施した。
リファレンス(ルチル・アナターゼ)は使用せず、Ti L-Edgeの形状を相対的に比較することで、エッチバック時間による結晶相の変化があるかを確認した。
結果と考察 / Results and Discussion
サンプル(水準：No.12, 15, 20)間でTi L-edgeに有意な差は認められず、Si酸化膜表面エッチバック処理時間に対する、結晶相の変化はないものと結論付けた。
結晶相の変化以外の要因が存在するものと考え、引き続き別の方法で検証を実施する。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
Ti L-Edge(No.12, 15, 20)
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
本研究は、文部科学省マテリアル先端リサーチインフラ事業の支援を受けて実施されました。本研究の遂行にあたり、ご協力頂いたマテリアル先端リサーチインフラ実施責任者 治田 充貴先生、京都大学 化学研究所 先端ビームナノ科学センター 複合ナノ解析化学 特定研究員 清村 勤 様に厚く御礼申し上げます。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件