【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.12】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23BA0051
利用課題名 / Title
IM4000イオンミリング装置を利用したSEM試料断面の作製
利用した実施機関 / Support Institute
筑波大学 / Tsukuba Univ.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）革新的なエネルギー変換を可能とするマテリアル/Materials enabling innovative energy conversion（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
パワーエレクトロニクス/ Power electronics,イオンミリング/ Ion milling
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
陳 君
所属名 / Affiliation
国立研究開発法人 物質・材料研究機構
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
関口隆史
利用形態 / Support Type
（主 / Main）機器利用/Equipment Utilization（副 / Sub）,技術補助/Technical Assistance
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
SiC材料はパワーデバイスへの応用が期待されている。中でも4H-SiC基板上に成長した3C-SiC薄膜は、界面に2次元電子ガスを発生させることで高い移動度を実現している。しかし、界面に欠陥の少ない理想的な構造を作製することは困難である。本研究では、イオンミリング装置を用いて3C-SiC/4H-SiCの断面試料を作製し、高性能走査型電子顕微鏡で観察することで、界面構造の評価と成長条件の最適化を目指す。
実験 / Experimental
イオンミリング装置 (Hitachi製、IM4000）で断面試料を作製した。
結果と考察 / Results and Discussion
ARIMのイオンミリングシステムを使用することにより、良好な断面試料を得ることができた。断面サンプリング技術に基づき、4H-SiC基板上に成長した3C-SiC層をEBSDとCLによって構造的および光学的に評価した。3C-SiC層の結晶品質は、プロパンの前処理に大きく影響される。適切な前処理により、積層欠陥と粒界を含まない高品質の3C-SiC層を得ることができた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件