【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.21】
課題データ / Project Data
課題番号 / Project Issue Number
23IT0045
利用課題名 / Title
FFI光プローバを用いたシリコンフォトニクスデバイス(パッシブ光素子)面内均一性評価
利用した実施機関 / Support Institute
東京工業大学 / Tokyo Tech.
機関外・機関内の利用 / External or Internal Use
外部利用/External Use
技術領域 / Technology Area
【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-
【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）その他/Others（副 / Sub）-
キーワード / Keywords
電気特性評価/ Electrical characterization
利用者と利用形態 / User and Support Type
利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)
前田 雄也
所属名 / Affiliation
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes
鉄矢諒
ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes
堀川剛
利用形態 / Support Type
（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-
利用した主な設備 / Equipment Used in This Project
IT-036：FormFactor 300mm ウェハプローバ
報告書データ / Report
概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)
試作したシリコンフォトニクスの導波路TEG・パッシブTEGの波長依存性を実施した。
実験 / Experimental
弊社にて用意した試作ウェーハを東工大に持ち込み、ウェーハプローバ(IT-036, FFI社 プローバー)により評価を実施した。
結果と考察 / Results and Discussion
概ね想定通りの結果が得られた。
導波路検討：カットバック法による評価によって透過率の波長依存性が設計通りであることを確認した。図1に評価結果を示す。
また他シリコンフォトニクスのパッシブデバイス(リング共振器他)の評価を実施し所望の通りの結果が得られた。
図・表・数式 / Figures, Tables and Equations
図1. 導波路TEG評価結果
その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)
東工大 堀川教授には、TEG内容、評価内容及び実施の際に多大なご協力を頂きました。感謝いたします。
成果発表・成果利用 / Publication and Patents
論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)
口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.
特許 / Patents
特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件