【公開日：2024.07.25】【最終更新日：2024.03.22】

課題データ / Project Data

課題番号 / Project Issue Number

23IT0035

利用課題名 / Title

シリコンフォトニクスウェハの光学特性評価

利用した実施機関 / Support Institute

東京工業大学 / Tokyo Tech.

機関外・機関内の利用 / External or Internal Use

外部利用/External Use

技術領域 / Technology Area

【横断技術領域 / Cross-Technology Area】（主 / Main）計測・分析/Advanced Characterization（副 / Sub）-

【重要技術領域 / Important Technology Area】（主 / Main）高度なデバイス機能の発現を可能とするマテリアル/Materials allowing high-level device functions to be performed（副 / Sub）-

キーワード / Keywords

電気特性評価/ Electrical characterization,光導波路/ Optical waveguide

利用者と利用形態 / User and Support Type

利用者名（課題申請者）/ User Name (Project Applicant)

Ogata Yukino

所属名 / Affiliation

住友商事九州株式会社

共同利用者氏名 / Names of Collaborators in Other Institutes Than Hub and Spoke Institutes

ARIM実施機関支援担当者 / Names of Collaborators in The Hub and Spoke Institutes

利用形態 / Support Type

（主 / Main）技術代行/Technology Substitution（副 / Sub）-

利用した主な設備 / Equipment Used in This Project

IT-036：FormFactor 300mm ウェハプローバ

報告書データ / Report

概要（目的・用途・実施内容）/ Abstract (Aim, Use Applications and Contents)

産総研300mmウエハープロセスで製作した標準シリコンフォトニクスデバイスの特性を東工大FormFactor300mmウエハープローバにより評価した。結果、概ね想定通りの合理的な結果が確認できた。

実験 / Experimental

　1. 導波路の評価実験　細線導波路、および複数のリブ導波路のCL帯透過スペクトル計測　透過スペクトル測定結果をもとにしたカットバック法による伝搬損失値抽出　2. グレーティングカプラの評価実験　複数のグレーティングカプラについてファイバ光結合のCL帯透過スペクトル計測　透過スペクトル測定結果をもとにした光結合効率値抽出　3. 変調器について実施した評価実験　複数の非対称MZI変調器について印可電圧ごとのCL帯透過スペクトル計測　透過スペクトル測定結果をもとにした位相シフトの電圧依存性抽出　進行波型変調器の光出力の印可電圧ごとの小信号応答計測　進行波型変調器の電気伝送の印可電圧ごとの小信号応答計測　変調器に適用した電極構造についての小信号応答計測

結果と考察 / Results and Discussion

　・細線導波路、各リブ導波路について、妥当な損失値及び面内ばらつきが得られた。　・各グレーティングカプラについて、妥当な結合効率および面内分布が得られた。　・各変調器について、妥当な位相シフトの電圧依存性および小信号応答特性が得られた。

図・表・数式 / Figures, Tables and Equations

その他・特記事項（参考文献・謝辞等） / Remarks(References and Acknowledgements)

成果発表・成果利用 / Publication and Patents

論文・プロシーディング（DOIのあるもの） / DOI (Publication and Proceedings)

口頭発表、ポスター発表および、その他の論文 / Oral Presentations etc.

特許 / Patents

特許出願件数 / Number of Patent Applications：0件
特許登録件数 / Number of Registered Patents：0件