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ICP-RIE装置

設備ID WS-007
分類 膜加工・エッチング > ガスエッチング
装置名称 ICP-RIE装置 (Inductively Coupled Plasma reactive ion etching)
設置機関 早稲田大学
設置場所 早稲田大学121号館ナノテクノロジーリサーチセンター
メーカー名 サムコ株式会社 (Samco Inc.)
型番 RIE-101iPH
キーワード 表面処理・エッチング
仕様・特徴 汎用反応性エッチング装置
Si、Ti等の微細エッチング可
基板サイズは~4inch
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