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レーザー描画装置〔DWL66+〕

設備ID AT-110
分類 リソグラフィ > 光露光(マスクレス、直接描画)
装置名称 レーザー描画装置〔DWL66+〕 (Laser Beam Lithography)
設置機関 産業技術総合研究所(AIST)
設置場所 AISTつくば中央 2-12棟
メーカー名 ハイデルベルグ (Heidelberg Instruments)
型番 DWL66+
キーワード マスクレス露光
裏面合わせ露光
グレースケール露光
仕様・特徴 ・型式:DWL66+
・試料サイズ:8インチφ、200mm×200mm×12mmt
・最小角型試料サイズ: 5mm×5mm
・描画エリア:200mm×200mm
・レーザー光源:405nm
・最小描画パターン:0.5μm (L&S)、0.3μm(孤立パターン)
・重ね合わせ描精度:0.25μm(5mm×5mm以内)、0.5μm(100mm×100mm以内)
・裏面パターンとの重ね合わせ精度:1μm
・グレースケール露光:1000階調
    レーザー描画装置〔DWL66+〕
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