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ドライエッチングシステム

設備ID BA-023
分類 膜加工・エッチング > ガスエッチング
装置名称 ドライエッチングシステム (Dry Etching Equipment)
設置機関 筑波大学
設置場所 総合研究棟B
メーカー名 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION)
型番 CDE-7-4
キーワード ケミカルドライエッチング
等方性エッチング
ドライ洗浄
仕様・特徴 ・リモートプラズマ方式よる低ダメージの等方性ケミカルドライエッチング装置.
・Siの表面や溝の平滑化・DRIE後のスキャロップ除去などが可能.
プラズマ電源:マイクロ波 2.45GHz 1.0kW
エッチングガス:CF4, O2, N2, Ar
試料サイズ:6インチウェーハ対応(小さな試料も可)
    ドライエッチングシステム
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