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スパッタリング装置

    スパッタリング装置
    スパッタリング装置
機器ID BA-002
分類 成膜装置 > スパッタリング(スパッタ)
装置名称 スパッタリング装置 (Sputtering System)
設置機関 筑波大学
設置場所 共同研究棟C
メーカー名 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
型番 CFS-4EP-LL (i-miller)
キーワード スパッタリング装置
仕様・特徴 スパッタ方式:マグネトロン・サイドスパッタ RF500W (DC)
スパッタ源:3インチ×4(強磁性体材料用GUN1基含む)、逆スパッタ可
サンプルホルダ:最大φ220 mm/最小20 mm
(4インチウエハ用および不定形用ホルダあり)
加熱温度:室温~300℃
到達真空度・時間:10-5 Pa、10分以内に7 x 10-3 Pa
排気系:ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオトラップ
操作方式:全自動(レシピ設定可)
プロセスガス:Ar、N2、O2
機関代表メールアドレス staff=u-tsukuba-arim.jp ([=]を[@]にしてください)
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