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スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]

設備ID NM-607
分類 成膜装置 > スパッタリング(スパッタ)
装置名称 スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3] (Sputter [CFS-4EP-LL #3])
設置機関 物質・材料研究機構 (NIMS)
設置場所 NIMS千現地区 材料信頼性実験棟
メーカー名 芝浦メカトロニクス (SHIBAURA MECHATRONICS)
型番 CFS-4EP-LL (i-Miller)
キーワード スパッタ、成膜、金属、絶縁膜、RF、DC、反応性スパッタ、逆スパッタ、バイアススパッタ
仕様・特徴 ・用途:金属・絶縁薄膜形成
・スパッタ方式:DC/RFマグネトロンスパッタ,反応性/2元同時/逆スパッタ/バイアススパッタ可能
・電源出力:Max 500W
・カソード:φ3インチ×4式
・プロセスガス:Ar,O2,N2
・最大試料サイズ:φ8inch(水冷ステージ)
・現有ターゲット:Ti, Au, Al, Si, Cu, W, Ta, Ag, Ni, Cr, ITO, ZnO, SiO2(2020年4月時点)
    スパッタ装置 [CFS-4EP-LL #3]
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