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高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置

    高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置
    高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置
機器ID NU-238
分類 膜加工・エッチング > プラズマエッチング
装置名称 高温プロセス用誘導結合型プラズマエッチング装置 (High temperature ICP plasma etching)
設置機関 名古屋大学
設置場所 低温プラズマ科学研究センター
メーカー名 自作 (Lab made)
型番
キーワード 塩素エッチング
仕様・特徴 ・高温でのCl2,BCl3プラズマエッチングプロセス
・基板温度:200℃-600℃
・使用ガス:Cl2,Ar,N2,BCl3,O2
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