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リアクティブイオンエッチング装置

設備ID NU-217
分類 膜加工・エッチング > プラズマエッチング
装置名称 リアクティブイオンエッチング装置 (Reactive ion etching)
設置機関 名古屋大学
設置場所 先端技術共同研究施設
メーカー名 サムコ (Samco)
型番 RIE-10N
キーワード 反応性イオンエッチング
SiO2エッチング
仕様・特徴 ・CF4,SF6,O2使用可能
・電極径:210 mmΦ
・最大RF電力::300W
    リアクティブイオンエッチング装置
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