気相フッ酸エッチング装置
最終更新日：2023年6月29日
| 設備ID | UT-602 |
|---|---|
| 分類 |
膜加工・エッチング > ガスエッチング その他加工装置 > その他 |
| 設備名称 | 気相フッ酸エッチング装置 (Vapor Phase HF Etcher ) |
| 設置機関 | 東京大学 |
| 設置場所 | 武田先端知クリーンルーム |
| メーカー名 | IDONUS (IDONUS) |
| 型番 | |
| キーワード | ガスエッチング、フッ酸、HF |
| 仕様・特徴 | 8インチ装置、Vapor HF専用、気相フッ化水素（HF水溶液を蒸発）によって、選択的にシリコン酸化膜をエッチングし、MEMSデバイスの可動構造体、中空構造を形成するための装置です。独自構造によって、フッ酸に直接触れることなく、安全に利用することができます。静電チャックによって、任意形状の基板をチャック下エッチングのほか、4，6，8インチの丸ウエーハは機械的クランプを行えます。 |
| 設備状況 | 稼働中 |
| 本設備の利用事例 | https://nanonet.mext.go.jp/user_report.php?keyword=UT-602 |
